3D NAND Flash yongalarında katman sayısı artmaya devam ediyor. Yapılan yeni duyuruyla yüksek yoğunluklu ve performanslı kümeler tanıtıldı.
162 katmanlı 3D NAND Flash teknolojisi duyuruldu
Kioxia ve Western Digital işbirliğinde önemli bir adım olarak kabul edilen 6. nesil 3D NAND Flash yongaları duyuruldu. 162 katmanlı çözümler 5. nesile kıyasla yatay eksende %10 daha yoğunken dikeyde elde edilen katman artışıyla birlikte aynı kapasiteli hafıza kümesi artık %40 daha az yer kaplayacak.
Okuma operasyonlarında yaşanan gecikmede %10’luk gelişmeyle gelen 6. nesil NAND Flash’lar %66 oranında daha performanslı çalışacak. Mali kanatta ise modern hafıza kümeleri firmaların zar başına bit üretimini %70 arttırmasını sağlarken bit başına maliyetin de düşmesini sağlayacak.
